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光刻工艺流程和工艺参数

光刻工艺

光刻工艺中数值孔径的影响

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光刻工艺作为半导造领域的核心技术,对于芯片性能与集成度起着决定性作用。其中,数值孔径是光刻工艺中一个极为关键的参数,它对光刻的分辨率、焦深以及曝光能量等多个方面都有着深远影响。数值孔径(NA)是指光学...

光刻资讯

光刻peb工艺

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光刻技术作为半导造领域的核心工艺之一,对于芯片性能和制造效率起着至关重要的作用。光刻PEB(Post Exposure Bake,曝光后烘焙)工艺则是光刻流程中的关键环节,它直接影响着光刻图案的质量和...

光刻工艺中barc的使用
光刻工艺

光刻工艺中barc的使用

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光刻工艺是半导造中至关重要的一步,它能够精确地将图案转移到硅片等基板上。而在光刻工艺中,Barrier Coat(简称 Barc)的使用具有重要意义,它在提高光刻精度、减少缺陷等方面发挥着关键作用。光...

光刻工艺中HMDS反应公式
光刻工艺

光刻工艺中HMDS反应公式

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光刻工艺是现代半导造中极为关键的一环,它决定了芯片上电路的精细程度和性能。其中,HMDS(六甲基二硅氮烷)在光刻工艺中扮演着重要角色。在光刻工艺开始前,晶圆表面需要进行预处理,以确保光刻胶能够良好地附...